第478章 真假1微米(1)(2 / 2)

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“你们说的都对,又都不对。”

“怎么讲?”

“晶圆厂要上,但也要考虑现实情况,空喊口号是没有用的。我们毕竟没有积累。

但同时,我们的目标也要实现,钱不能白花!如果只是上2微米的晶圆厂,根本没有意义。”

“咦?你这是啥意思?两面的话都让你说全了!”

两位老乡同学,都觉得自己的耳朵出了问题。

“这次我准备,用2微米的半导体设备及工艺,来生产1微米的芯片!”

...

“这怎么可能?”

“我就知道你脑袋里肯定有东西。”

两个不同性格的人,在沉思片刻后,发出了完全不同的感叹。

“你不是在开玩笑吧。如果真有这种技术,为什么全球这么多企业每年投入这么金钱,去改进他们的工艺流程,提高生产设备的精度?908工程是在干什么?”

叶静生性比较保守,看事情更多的是看风险。

“这个技术是有的。这也是为什么这个工程被叫做一号工程的缘故。它的保密级别甚至高于液晶的odf工艺。”

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“好吧,你说吧。我们准备好了。”

这已经不是第一次了,成永兴召集两人商量一些高度机密性的科技信息。

经过mems,led,以及lcd的不断洗礼,两个人对晶圆工艺已经不陌生了。

在后世,人们一提起半导体设备,被津津乐道的,就是光刻机。大家普遍认为,光刻机是中国在半导体工艺上落后的唯一瓶颈。

这句话对,也不对。

对,是因为,中国在半导体工艺领域,被甩得最远的代表设备就是光刻机。

其他设备,例如蚀刻设备等,它们与国际先进水平,即使有些差距,差距也没有这么大,甚至某些设备,国产设备已经开始反攻国际市场。

光刻机决定半导体制程的情况,仅仅是出现在2005年之后。这就是地球人都知道的,asml的天王山之战。

asml在浸入式光刻机上,打了场翻身仗,一举把日本的几家竞争对手掀翻在地,从而奠定了在光刻机市场的垄断地位。

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但实际上,在2005年的前后,决定半导体芯片制程的几个核心技术,都不是光刻机。因为此时,光波的波长,还没有撞到极限(193nm).

中国已经有了1.5微米的光刻机,但是其他辅助工艺,达不到这么高的精度。

几十年来,对光刻设备的要求主要基于摩尔定律,通过减小波长和增大数值孔径(na)来获得更高分辨率。

但是激光的可用波长就那么几个,激光波长减少几次,就无以为继了。

2004年开始,光刻机就开始使用193nm波长的duv激光,谁也没想到,光刻光源被卡在193nm无法进步长达十几年。

哪怕采用了沉浸式光刻机,也仅仅是使晶圆工艺成功突破了几个节点。

过了一段时间,半导体工艺的工艺演进路线,再次遇到了类似的问题。后世的14nm,10nm,7nm的技术突破。都不是通过升级光刻机来实现的。

在光刻机无法升级的情况下,为了突破这个障碍,人们开始寻找别的突围方向。

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随着科学家们的脑洞大开,一个行之有效的方法,真的被找到了!

更为可喜的是,这个方法思路非常简单,而且特别适合这个时代。

在完全在不改变设备技术水平的情况下,可以提高晶圆的制程!

之所以这个方法没有被广泛宣传,是因为所有的晶圆厂都在使用。大家都在用的技术,自然就失去了神秘性和趣味性。

灯下黑,指的就是这种情况。

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